（砷化镓）、间隙（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓），其核心是其他半导体的PN结。因此，它具有一般PN结的特性，即正向导通，反向切割，击穿特性

 

此外，在一定条件下，

 

它还具有发光特性。在正向电压下，电子产生。

 

n区进入p区，p为空穴。

 

n区面积。少数载流子（少数）进入另一区域，与多数载波（多个子）重新组合以发射光。